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高纯硅烷气
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高纯硅烷气
产品简介 ：公司采用先进硅烷西门子法量产超纯华人策略研究论坛料，是国内少数具备电子级超纯多晶硅规模化生产能力的企业。公司核心产品涵盖直拉（CZ）华人策略研究论坛、区熔（FZ）级多晶硅，代表行业顶尖技术水准，产品纯度可达11–13N。其中，区熔级多晶硅为公司王牌产品，技术综合实力稳居国际先进水平，也是国内该领域具备批量生产核心产品能力的主要单位，成功填补国内高端区熔多晶硅市场空白。产品性能优异，常规产品电阻率可达4000Ω·cm以上，同时支持个性化研发生产，量产电阻率10000Ω·cm以上的超高阻区熔多晶硅产品，全方位适配高端半导体领域应用需求。
应用领域：区熔多晶硅（FZ）是IGBT、MOSFET、晶闸管等功率半导体器件的核心基材，可用于新能源汽车、特高压、5G通信、轨道交通；同时适配MEMS器件、探测器与传感器，服务雷达导航、航天科技、光纤通讯、医疗设备等高精尖领域。直拉多晶硅（CZ）是制备半导体硅片的主要原料，用来生产CPU、MCU、存储器等芯片，凭借超高纯度提升芯片集成度与运行稳定性；也可制造光伏单晶硅片，提高光电转化效率，降低光伏发电成本，助力光伏行业发展。
执行标准：
应用领域：区熔多晶硅（FZ）是IGBT、MOSFET、晶闸管等功率半导体器件的核心基材，可用于新能源汽车、特高压、5G通信、轨道交通；同时适配MEMS器件、探测器与传感器，服务雷达导航、航天科技、光纤通讯、医疗设备等高精尖领域。直拉多晶硅（CZ）是制备半导体硅片的主要原料，用来生产CPU、MCU、存储器等芯片，凭借超高纯度提升芯片集成度与运行稳定性；也可制造光伏单晶硅片，提高光电转化效率，降低光伏发电成本，助力光伏行业发展。
执行标准：
硅棒
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硅棒
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产品规格
产品客户服务
追溯投诉渠道
投诉与申诉政策
win·必赢登录入口致力于提供最高质量的硅材料产品和服务，并严格遵守 SSI追溯性标准。我们欢迎并重视各方的投诉与申诉，将其视为改进产品质量和服务水平的重要机会。
本公司承诺对所有投诉与申诉进行公平、公正、及时的处理，并保护投诉人的合法权益和隐私。所有投诉信息将被严格保密，仅用于问题调查和解决。
电话
工作时间(8:00-12:00,13:30-17:30)内拨打投诉热线直接与工作人员沟通您的问题。
0912-2217001
产品简介 ：引进美国REC Silicon FBR-B（第二代流化床）技术生产的800cc全讯白菜网，目前已实现技术的全面消化、吸收与升级迭代，形成了自主知识产权体系，是国内少数具备大规模量产能力的粒状硅生产企业，合计产能规模4.5万吨/年。
应用领域：FBR工艺综合电耗较西门子法下降明显，有利于降低产品成本、FBR反应器所具备的最长700天连续生产能力也远优于改良西门子法。与传统棒状硅产品相比，粒状硅产品具有无需破碎、流动性好、填充性强、碳足迹指标优异、杂质含量低等绝对性应用优势，是光伏领域多次拉晶(RCZ)、连续拉晶(CCZ)理想的复投料，可有效提升下游拉晶产出率，广泛应用于光伏电池、硅碳负极、半导体等领域，应用前景广阔。
执行标准：
应用领域：FBR工艺综合电耗较西门子法下降明显，有利于降低产品成本、FBR反应器所具备的最长700天连续生产能力也远优于改良西门子法。与传统棒状硅产品相比，粒状硅产品具有无需破碎、流动性好、填充性强、碳足迹指标优异、杂质含量低等绝对性应用优势，是光伏领域多次拉晶(RCZ)、连续拉晶(CCZ)理想的复投料，可有效提升下游拉晶产出率，广泛应用于光伏电池、硅碳负极、半导体等领域，应用前景广阔。
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重点新产品-粒状硅
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产品简介 ：硅烷气技术引进美国REC成熟先进工艺，公司现有硅烷气总产能7.7万吨，配套充装产能6000吨/年（规划扩建至9000 MT/年），产品纯度稳定达到6N及以上水平，充分满足高端电子级应用要求，产能体量、质量水平均处于全球行业第一梯队。
应用领域：半导体，晶圆表面薄膜沉积（CVD/PECVD），沉积SiO₂、Si₃N₄等各类硅基功能薄膜，起到绝缘、隔离和钝化作用，沉积MOS晶体管多晶硅（Poly-Si）层；硅外延片，进行低温外延、选择外延和异质外延生长的重要原料。
平板显示，硅烷气以及其他反应气体通过CVD工艺，反应沉积SiO₂、Si₃N₄在玻璃基板表面，形成绝缘、隔离功能薄膜；沉积非晶硅TFT（薄膜晶体管）的电子通道层，制造TFT-LCD液晶面板。
硅碳负极，硅烷通过CVD工艺，在多孔碳颗粒表面/孔隙内沉积纳米硅,提升电池能量密度。
光伏电池，池片表面，通过PECVD工艺，使用硅烷气沉积氮化硅薄膜，减少入射光反射；N型电池背面，使用硅烷气沉积超薄隧穿氧化层（SiOx）和多晶硅层（Poly-Si），降低金属复合，提升电池转换效率。
执行标准：
应用领域：半导体，晶圆表面薄膜沉积（CVD/PECVD），沉积SiO₂、Si₃N₄等各类硅基功能薄膜，起到绝缘、隔离和钝化作用，沉积MOS晶体管多晶硅（Poly-Si）层；硅外延片，进行低温外延、选择外延和异质外延生长的重要原料。
平板显示，硅烷气以及其他反应气体通过CVD工艺，反应沉积SiO₂、Si₃N₄在玻璃基板表面，形成绝缘、隔离功能薄膜；沉积非晶硅TFT（薄膜晶体管）的电子通道层，制造TFT-LCD液晶面板。
硅碳负极，硅烷通过CVD工艺，在多孔碳颗粒表面/孔隙内沉积纳米硅,提升电池能量密度。
光伏电池，池片表面，通过PECVD工艺，使用硅烷气沉积氮化硅薄膜，减少入射光反射；N型电池背面，使用硅烷气沉积超薄隧穿氧化层（SiOx）和多晶硅层（Poly-Si），降低金属复合，提升电池转换效率。
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